[发明专利]一种具有应变沟道的CMOS器件结构及其形成方法

摘要

本发明提出一种具有应变沟道的CMOS器件结构及其形成方法。该CMOS结构包括衬底，和形成在衬底之上的NMOS结构和PMOS结构，其中，NMOS结构的源漏区上层中有第一材料应变层，NMOS结构的沟道区下有第二材料应变层，PMOS结构的源漏区上层中有第二材料应变层，PMOS结构的沟道区下有第一材料应变层，其中，第一材料应变层和第二材料应变层是由一次退火形成的。本发明实施例通过一次退火同时在NMOS器件和PMOS器件的沟道区及源漏区同时引入所需要的应变，不仅能够提高载流子迁移率，改善CMOS器件的性能，还可以节省制造成本。

主权项

一种具有应变沟道的CMOS器件结构，其特征在于，包括：衬底；和形成在所述衬底之上的NMOS结构和PMOS结构，以及所述NMOS结构和PMOS结构之间的隔离结构，其中，所述NMOS结构的源漏区上层中有第一材料应变层，所述NMOS结构的沟道区下有第二材料应变层，所述PMOS结构的源漏区上层中有第二材料应变层，所述PMOS结构的沟道区下有第一材料应变层，其中，所述第一材料应变层和所述第二材料应变层是由一次退火形成的。