[发明专利]外延生长前深沟槽中的氧化膜刻蚀和清洗工艺方法无效
| 申请号： | 201010172351.2 | 申请日： | 2010-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN102243997A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 杨华;刘继全;姚嫦娲 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种外延生长前深沟槽中的氧化膜刻蚀和清洗工艺方法，包括如下步骤：(1)深沟槽刻蚀；(2)热氧化在深沟槽内形成牺牲氧化膜；(3)采用稀释氢氟酸或氟化氢蒸汽去除深沟槽里的牺牲氧化膜；(4)采用SPM、APM和HPM清洗，然后采用异丙醇干燥；(5)外延生长。该方法可达到完全去除氧化膜并充分清洗和干燥的目的，使后续的外延生长顺利完成。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 生长 深沟 中的 氧化 刻蚀 清洗 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种外延生长前深沟槽中的氧化膜刻蚀和清洗工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)深沟槽刻蚀；(2)热氧化在深沟槽内形成牺牲氧化膜；(3)采用稀释氢氟酸或氟化氢蒸汽去除深沟槽里的牺牲氧化膜；(4)采用SPM、APM和HPM清洗，然后采用异丙醇干燥；(5)外延生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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