[发明专利]基于铁电金属异质结的忆阻器及其制备方法无效
| 申请号： | 201010172495.8 | 申请日： | 2010-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN101864592A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 李海涛;夏奕东;徐波;国洪轩;殷江;刘治国 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/30;C30B33/02;H01L45/00 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 基于铁电金属异质结的忆阻器，其中忆阻器材料铁电铌酸锂，采用脉冲激光沉积系统制备：将单晶LN靶材(4)固定在脉冲激光沉积制膜系统的靶台(5)上，放置在脉冲激光沉积制膜系统的生长室(6)中；生长室中的真空抽到0.8×10-4Pa以下，并通入氧气，氧气压25～35Pa间，将衬底温度升到600～650℃间；启动KrF准分子激光器，根据单脉冲能量，确定沉积时间，沉积厚度为30nm～200nm厚LN薄膜；原位500～650℃退火20～90min；该薄膜具有自发极化和180°畴界。将忆阻器铁电铌酸锂薄膜夹在两金属电极膜之间构成微型三明治结构忆阻器单元。该器件可应用于高密度低能耗非易失性阻变存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 金属 异质结 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种忆阻器材料铁电铌酸锂，采用脉冲激光沉积系统制备：将单晶LN靶材(4)固定在脉冲激光沉积制膜系统的靶台(5)上，衬底(1)固定在衬底台(8)上，均放置在脉冲激光沉积制膜系统的生长室(6)中；生长室(6)中的真空抽到0.8×10-4Pa以下，并通入氧气，保持生长室内流动氧气压升到稳定在25～35Pa间，并将衬底温度升到600～650℃间；启动KrF准分子激光器(2)，使激光束通过聚焦透镜(3)聚焦在单晶LN靶材(4)上；根据单脉冲能量，确定沉积时间，在衬底(1)上沉积厚度为30nm～200nm厚的LN薄膜；薄膜沉积结束后，原位500～650℃退火20～90min；该薄膜具有自发极化和180°畴界。
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