[发明专利]用于制造微机电系统装置的方法有效
| 申请号： | 201010172538.2 | 申请日： | 2010-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN102134054A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 谢聪敏;李建兴;刘志成 | 申请（专利权）人： | 鑫创科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H04R31/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于制造MEMS装置的方法，其包含：提供单晶体衬底，其具有第一表面和第二表面且具有MEMS区和IC区；在第一表面上在MEMS区中形成SCS质量块；在衬底的第一表面上形成结构介电层，其中结构介电层的介电部件填充于围绕MEMS区中的SCS质量块的空间中，IC区具有电路结构，所述电路结构具有形成于结构介电层中的互连结构；通过蚀刻工艺在第二表面上将单晶体衬底图案化以暴露填充于围绕SCS质量块的空间中的介电部件的一部分；至少对填充于围绕SCS质量块的空间中的介电部分执行各向同性蚀刻工艺。暴露SCS质量块以释放MEMS结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 微机 系统 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造微机电系统(MEMS)装置的方法，其包括：提供单晶体衬底，其具有第一表面和第二表面且具有MEMS区和集成电路(IC)区；在所述衬底的所述第一表面上在所述MEMS区中形成多个单晶体结构(SCS)质量块；在所述衬底的所述第一表面上形成结构介电层，其中所述结构介电层具有介电部件且以所述介电部件填充围绕所述MEMS区中的所述SCS质量块的空间，其中所述IC区具有电路结构，所述电路结构具有形成于所述结构介电层中的互连结构；通过蚀刻工艺在所述第二表面上将所述单晶体衬底图案化，以暴露填充于围绕所述SCS质量块的所述空间中的所述介电部件的一部分；以及至少对填充于围绕所述SCS质量块的所述空间中的所述介电部件执行各向同性蚀刻工艺，其中暴露所述SCS质量块以释放MEMS结构。
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