[发明专利]一种基于新型SnO2纳米材料的气体传感器及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201010172554.1 申请日: 2010-05-07
公开(公告)号: CN102235988A 公开(公告)日: 2011-11-09
发明(设计)人: 黄雨健 申请(专利权)人: 上海市格致中学
主分类号: G01N27/00 分类号: G01N27/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 20000*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种基于新型SnO2纳米棒单晶材料的气体传感器,其包括基底,叉指型金属电极层,传感导电体,所述叉指型金属电极层设置在所述基底上,所述传感导电体为表面带瘤节点SnO2纳米棒单晶薄膜材料,其被设置在所属叉指型金属电极层上。本发明中的基于新型SnO2纳米棒单晶材料的气体传感器所采用的传感导电体是可以大规模生产的表面带瘤节点SnO2纳米棒单晶材料,其制备工艺简单易行,重复性好,原料容易得到,制备成本低廉,且在微观结构上是由大量的纳米杆组成,具有巨大的表面比,因此所述气体传感器具有很高的灵敏度,有望在工业安全等领域获得重要应用。
搜索关键词: 一种 基于 新型 sno sub 纳米 材料 气体 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种基于新型SnO2纳米棒单晶材料的气体传感器,包括基底(1),叉指型金属电极层(2),传感导电体(3),其特征在于,所述叉指型金属电极层(2)设置在所述基底(1)上,所述传感导电体(3)为表面带瘤节点SnO2纳米棒单晶薄膜材料,其被设置在所属叉指型金属电极层(2)上。
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