[发明专利]硅锗异质结双极型晶体管无效
| 申请号： | 201010172662.9 | 申请日： | 2010-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101866947A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 陈乐乐;孙涛 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅锗异质结双极型晶体管，所述硅锗异质结双极型晶体管包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底中的集电极区；形成于所述半导体衬底上的外延层；形成于所述外延层中的基极区；形成于所述外延层上的发射极区；形成于所述基极区与集电极区之间的隔离层。所述硅锗异质结双极型晶体管在基极区与集电极区之间设置有隔离层，所述隔离层可阻挡基极区的杂质向集电极区扩散，减小了基极区与集电极区之间的结电容，提高了硅锗异质结双极型晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 硅锗异质结双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
一种硅锗异质结双极型晶体管，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底中的集电极区；形成于所述半导体衬底上的外延层；形成于所述外延层中的基极区；形成于所述外延层上的发射极区；形成于所述基极区与集电极区之间的隔离层。
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