[发明专利]防止浅注入离子扩散的方法无效
| 申请号： | 201010172705.3 | 申请日： | 2010-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101834132A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 杨昌辉 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的防止浅注入离子扩散的方法在注入杂质离子、去除衬基表面光阻挡层之后，退火处理之前，在低于80℃的条件下，在所述衬基的表面生长一盖层。本发明的防止浅注入离子扩散的方法能有效阻止浅注入离子在高温环境下向外扩散，保障半导体器件电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 注入 离子 扩散 方法 | ||
【主权项】：
一种防止浅注入离子扩散的方法，其特征在于，在注入杂质离子、去除衬基表面光阻挡层之后，退火处理之前，在低于80℃的条件下，在所述衬基的表面生长一盖层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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