[发明专利]改善双极性晶体管的发射极表面硅化物层的方法无效
| 申请号： | 201010172759.X | 申请日： | 2010-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101834136A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 陈乐乐;孙洪福;曼纽拉·奈耶尔 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种改善双极性晶体管的发射极表面硅化物层的方法。该方法是在形成发射极层之后对该发射极层进行反刻蚀，利用反刻蚀改善所述发射极层的表面形貌，从而改善淀积于所述发射极层表面上的硅化物层，使发射极金属互连与发射极良好接触，提高双极管的工作性能。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 极性 晶体管 发射极 表面 硅化物层 方法 | ||
【主权项】：
一种改善双极性晶体管的发射极表面硅化物层的方法，其特征在于，形成发射极层之后对该发射极层进行反刻蚀，将反刻蚀后的发射极层刻蚀成发射极，在所述发射极的表面形成硅化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
