[发明专利]静电释放保护结构及制造方法无效
| 申请号： | 201010172923.7 | 申请日： | 2010-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN101901829A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 刘宗贺;李杰;盛曦;康剑;刘玮;柏才利;孙伟;业海俊 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L27/02;H01L21/77 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518029 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种静电释放保护结构，静电释放保护结构串联在金属氧化物半导体场效应管的栅极和源极之间，静电释放保护结构是NPN三极结构或PNP三极结构。本发明还涉及一种具有静电释放保护结构的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法。上述静电释放结构，通过在MOSFET的栅极和源极之间串联NPN或PNP三极结构的静电释放保护结构，使栅极和源极之间的电势差在超过三极结构的击穿电压之前，呈现出绝缘特性；当静电电压超过击穿电压时，三极结构导通使静电得到释放，避免静电击穿栅氧化层对器件造成损伤。且该静电释放保护结构呈现的是双向绝缘特性，即无论栅极电位相对于源极无论正负均为绝缘状态，避免对器件的正常工作状态造成影响。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 释放 保护 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种静电释放保护结构，其特征在于，所述静电释放保护结构串联在金属氧化物半导体场效应管的栅极和源极之间，所述静电释放保护结构是NPN三极结构或PNP三极结构。
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