[发明专利]一种测量高阻值半导体衬底的电阻随热预算变化的方法有效
| 申请号： | 201010173276.1 | 申请日： | 2010-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101924054A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 黎坡;周建华 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种测量高阻值半导体衬底的电阻随热预算变化的方法，所述方法通过在所述高阻值半导体衬底上制备一简单电感器，测量所述简单电感器在不同热预算下的Q值，同时采用高频结构仿真器对所述电感器进行模拟，模拟该电感器在不同衬底电阻下的Q值变化率，并与所述测量得到的不同热预算下的Q值进行对比，从而通过非接触的方式得到所述不同热预算下的Q值对应的高阻值半导体衬底的电阻值。本发明所提供的方法可有效地测量高阻值半导体衬底的电阻随热预算的变化，并且简单可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量 阻值 半导体 衬底 电阻 预算 变化 方法 | ||
【主权项】：
一种测量高阻值半导体衬底的电阻随热预算变化的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：在所述高阻值半导体衬底上沉积一层绝缘层；在所述绝缘层上淀积一层金属，形成一电感器；测量所述电感器在不同热预算下的Q值；采用高频结构仿真器对所述电感器进行模拟，模拟该电感器在不同衬底电阻下的Q值变化率；将所述模拟得到的不同衬底电阻下的Q值变化率与所述测量得到的不同热预算下的Q值进行对比，得到所述不同热预算下的Q值对应的高阻值半导体衬底的电阻值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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