[发明专利]集成电路结构的形成方法

摘要

本发明涉及一种形成集成电路结构方法。在此方法中，首先提供半导体基材，此半导体基材具有形成在第一隔离层上的第一金属层。接着，形成第二隔离层，此第二隔离层具有第一金属镶嵌开口，此第一金属镶嵌开口具有形成在第一开口中的第二隔离层部分。然后，沉积光刻胶层来填充第一开口，接着并将光刻胶层图案化，以形成用以蚀刻第二金属镶嵌开口的蚀刻掩膜。然后，蚀刻第二开口至第二隔离层的一部分中，此第二开口暴露出第一金属层的一部分。接着，形成第二金属层，以包含填充第一和第二镶嵌开口，此第一和第二镶嵌开口嵌入第二隔离层部分。然后，平坦化第二金属层并形成钝化层于第二隔离层和第二金属层上，其中钝化层部分地覆盖第二金属层。

主权项

一种形成一集成电路结构的方法，其特征在于，包含：形成一第一金属层于一基材的一第一隔离层上；形成一第二图案化隔离层于该基材上，该第二图案化隔离层具有位于该第二图案化隔离层中的一金属镶嵌开口，以暴露出该第一金属层的一部分，该金属镶嵌开口具有形成于该金属镶嵌开口中的一第二隔离层部分；以一第二金属层来填充该金属镶嵌开口，以将该第二隔离层部分嵌入该第二金属层；以及形成一钝化层于该第二图案化隔离层和该第二金属层上，其中该钝化层部分地覆盖该第二金属层。