[发明专利]用于制造薄膜光伏系统的方法以及薄膜光伏系统无效
| 申请号： | 201010174104.6 | 申请日： | 2010-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101834231A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | D·奥斯特曼 | 申请（专利权）人： | 齐伦投资专利II两合公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/048;H01L31/0264 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国舍*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明描述了一种用于制造薄膜光伏系统(2)的方法，该系统具有作为阳光吸收体的平面金属硫族化合物半导体层(7)以及施加在所述金属硫族化合物半导体层上的金属层(8)，其中所述金属硫族化合物半导体层(7)和所述金属层(8)在其接触面上形成肖特基触点。所述技术方案的特征在于，通过将含有直径为约3nm至约30nm的纳米级颗粒的分散体施加到透明基材(12)上而制成所述金属硫族化合物半导体层(7)，其中施加到基材上的所述金属硫族化合物半导体层(7)的层厚度为约150nm至约2500nm。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 薄膜 系统 方法 以及 | ||
【主权项】：
用于制造薄膜光伏系统(2)的方法，该系统具有作为阳光吸收体的平面金属硫族化合物半导体层(7)以及施加在所述金属硫族化合物半导体层上的金属层(8)，其中所述金属硫族化合物半导体层(7)和所述金属层(8)在其接触面上形成肖特基触点，其特征在于，所述金属硫族化合物半导体层(7)是通过将含有直径为约3nm至约30nm的纳米级颗粒的分散体施加到透明基材(12)上而制成的，其中施加到基材上的所述金属硫族化合物半导体层(7)的层厚度为约150nm至约2500nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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