[发明专利]具有选择性发射级太阳能电池片无效

专利信息
申请号: 201010174164.8 申请日: 2010-05-18
公开(公告)号: CN101866971A 公开(公告)日: 2010-10-20
发明(设计)人: 孙剑波;孙铁囤;叶庆好 申请(专利权)人: 常州亿晶光电科技有限公司
主分类号: H01L31/052 分类号: H01L31/052;H01L31/0224
代理公司: 常州市维益专利事务所 32211 代理人: 周祥生
地址: 213200 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种具有选择性发射级太阳能电池片,它由硅片、金字塔绒面、电极槽、重掺杂层、轻掺杂层、减反射膜、背银电极、铝背场和栅银电极组成,电极槽开设在硅片的上表面,重掺杂层扩散在电极槽中,在硅片上表面的金字塔绒面上扩散有轻掺杂层,栅银电极印制在电极槽中的重掺杂层上,在轻掺杂层的上表面沉积有减反射膜,在硅片的下表面上分别印制有背银电极和铝背场。这种结构的太阳能电池具有选择性发射级,提高了电池片的转换效率,与现有同类产品相比,平均光电转化效率提高2%-3%,达到18%以上,使光伏产业给社会带来更大的收益,它解决了晶体硅电池光电转化效率偏低的技术问题。
搜索关键词: 具有 选择性 发射 太阳能电池
【主权项】:
一种具有选择性发射级太阳能电池片,其特征是:它由硅片(1)、金字塔绒面(2)、电极槽(3)、重掺杂层(4)、轻掺杂层(5)、减反射膜(6)、背银电极(7)、铝背场(8)和栅银电极(9)组成,在硅片(1)的两侧面均制有金字塔绒面(2),电极槽(3)开设在硅片(1)的上表面,重掺杂层(4)扩散在电极槽(3)中,重掺杂层(4)的方块电阻小于30Ω/□;在硅片(1)上表面的金字塔绒面(2)上扩散有轻掺杂层(5),轻掺杂层(5)的方块电阻大于100Ω/□;栅银电极(9)印制在电极槽(3)中的重掺杂层(4)上,在轻掺杂层(5)的上表面沉积有减反射膜(6),在硅片(1)的下表面上分别印制有背银电极(7)和铝背场(8),背银电极(7)和铝背场(8)都与金字塔绒面(2)粘连为一体。
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