[发明专利]用于制造导电连接的方法有效
| 申请号： | 201010174244.3 | 申请日： | 2010-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101877328A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | A·伯纳;G·埃伦特劳特;T·奥伯恩休伯;U·塞德尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧霁晨;李家麟 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种用于在半导体衬底的第一表面和半导体衬底的第二表面之间制造导电连接的方法，所述方法包括：制造孔、形成包括钨的导电层、将所述导电层从所述半导体衬底的所述第一表面移除、用铜填充所述孔并且将所述半导体衬底减薄。制造从所述半导体衬底的所述第一表面到所述半导体衬底内的孔。将所述导电层从所述半导体衬底的所述第一表面移除，其中所述导电层至少以减小的厚度保留在所述孔中。从是所述半导体衬底的所述第一表面的相对面的表面开始将所述半导体衬底减薄，以获得具有所述孔的所述半导体衬底的第二表面，所述孔在所述半导体衬底的所述第二表面处不被覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 导电 连接 方法 | ||
【主权项】：
一种用于在半导体衬底的第一表面和半导体衬底的第二表面之间制造导电连接的方法，所述方法包括：制造从所述半导体衬底的所述第一表面到所述半导体衬底内的孔；在所述孔的表面上形成导电层，其中所述导电层包括钨；将所述导电层从所述半导体衬底的所述第一表面移除，其中所述导电层至少以减小的厚度保留在所述孔中；用铜填充所述孔；从是所述半导体衬底的所述第一表面的相对面的表面开始将所述半导体衬底减薄，以获得具有所述孔的所述半导体衬底的第二表面，所述孔在所述半导体衬底的所述第二表面处不被覆盖。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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