[发明专利]具有对称击穿电压的瞬时电压抑制器有效
| 申请号： | 201010174319.8 | 申请日： | 2010-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101877358A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 管灵鹏;马督儿·博德;安荷·叭剌 | 申请（专利权）人： | 万国半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 美国加利福尼亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直瞬时电压抑制器(TVS)器件，包括一个第一导电类型的重掺杂的半导体衬底、一个形成在衬底上具有第一厚度的第一导电类型的外延层，一个形成在外延层中、位于外延层的中间区域的第二导电类型的基极区。此基极区和外延层在基极区的两边提供一个基本对称的垂直掺杂结构。在一个实施例中，通过高能植入，形成此基极区。在另一个实施例中，将此基极区作为一个掩埋层。选取合适的外延层和基极区的掺杂浓度，将瞬时电压抑制器(TVS)器件配置成一个基于穿通二极管的瞬时电压抑制器(TVS)或一个雪崩模式瞬时电压抑制器(TVS)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 对称 击穿 电压 瞬时 抑制器 | ||
【主权项】：
一种垂直瞬时电压抑制器(TVS)器件，其特征在于，包括：一个第一导电类型的重掺杂的半导体衬底；一个形成在衬底上的第一导电类型的外延层，此外延层具有第一厚度；以及一个植入在外延层中的第二导电类型的基极区，此基极区位于外延层的一个中间区域，其中基极区以及外延层在基极区的两边提供一个基本对称的垂直掺杂结构。
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