[发明专利]成膜方法以及等离子体成膜装置

摘要

本发明提供成膜方法以及等离子体成膜装置。利用该成膜方法，即使形成在被处理体的表面的凹部的内径、宽度小，也能够提高薄膜成膜时的阶梯覆盖。在向可被抽真空的处理容器(22)内收容具有凹部(6)的绝缘层(4)被形成在表面的被处理体(W)，并且向处理容器内供给包含钛的原料气体和还原气体，利用等离子体CVD法使气体反应而在被处理体上形成包含钛的薄膜的成膜方法中，以使反应为原料气体的反应决速的反应状态的方式设定原料气体和还原气体各自的流量。由此，即使形成在被处理体表面的凹部的内径和宽度变小、或者凹部的纵宽比变大，也能够提高薄膜成膜时的阶梯覆盖。

主权项

一种成膜方法，向可被抽真空的处理容器内收容具有凹部的绝缘层被形成在表面的被处理体，并且向上述处理容器内供给包含钛的原料气体和还原气体，利用等离子体CVD法使上述气体反应而在上述被处理体上形成包含钛的薄膜，其特征在于，以上述反应成为上述原料气体的反应决速的反应状态的方式设定上述原料气体和上述还原气体各自的流量。