[发明专利]形成具有排热结构的垂直结构发光二极管的方法无效
申请号: | 201010175007.9 | 申请日: | 2010-05-14 |
公开(公告)号: | CN102097558A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | 陈学龙;枫政国;张简庆华;陈彰和 | 申请(专利权)人: | 华新丽华股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/12 | 分类号: | H01L33/12 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 中国台湾326桃园*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明揭露一种形成具有排热结构的垂直结构发光二极管(LED)的方法,包括以下步骤:a)提供蓝宝石基板;b)在蓝宝石基板上沉积多个凸部,其高度为p;c)形成具有多个凹部的缓冲层,凹部的深度q小于p,以致当凸部容纳于缓冲层的凹部时,在其间形成多个间隙;d)在缓冲层上生长多个发光层,具有形成于发光层和缓冲层间的介质层;e)蚀刻穿透发光层和缓冲层来形成排热用的通道;f)通过准分子激光剥离(LLO)来移除蓝宝石基板和凸部;g)粗化介质层;以及h)在粗化的介质层上沉积电极。 | ||
搜索关键词: | 形成 具有 结构 垂直 发光二极管 方法 | ||
【主权项】:
一种形成具有排热结构的垂直结构发光二极管(LED)的方法,其特征在于,包括以下步骤:a)提供蓝宝石基板;b)在蓝宝石基板上沉积复数个凸部,其高度为p;c)形成具有复数个凹部的缓冲层,所述凹部的深度q小于p,以致当凸部容纳于缓冲层的凹部时,在其间形成复数个间隙,以利排热;d)在缓冲层上生长复数个发光层,具有形成于复数个发光层和缓冲层间的介质层;e)蚀刻穿透复数个发光层和缓冲层来形成通道,以利排热;f)通过准分子激光剥离来移除蓝宝石基板和凸部;g)粗化介质层;以及h)在粗化的介质层上沉积电极。
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