[发明专利]形成具有排热结构的垂直结构发光二极管的方法无效

专利信息
申请号: 201010175007.9 申请日: 2010-05-14
公开(公告)号: CN102097558A 公开(公告)日: 2011-06-15
发明(设计)人: 陈学龙;枫政国;张简庆华;陈彰和 申请(专利权)人: 华新丽华股份有限公司
主分类号: H01L33/12 分类号: H01L33/12
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 孙皓晨
地址: 中国台湾326桃园*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明揭露一种形成具有排热结构的垂直结构发光二极管(LED)的方法,包括以下步骤:a)提供蓝宝石基板;b)在蓝宝石基板上沉积多个凸部,其高度为p;c)形成具有多个凹部的缓冲层,凹部的深度q小于p,以致当凸部容纳于缓冲层的凹部时,在其间形成多个间隙;d)在缓冲层上生长多个发光层,具有形成于发光层和缓冲层间的介质层;e)蚀刻穿透发光层和缓冲层来形成排热用的通道;f)通过准分子激光剥离(LLO)来移除蓝宝石基板和凸部;g)粗化介质层;以及h)在粗化的介质层上沉积电极。
搜索关键词: 形成 具有 结构 垂直 发光二极管 方法
【主权项】:
一种形成具有排热结构的垂直结构发光二极管(LED)的方法,其特征在于,包括以下步骤:a)提供蓝宝石基板;b)在蓝宝石基板上沉积复数个凸部,其高度为p;c)形成具有复数个凹部的缓冲层,所述凹部的深度q小于p,以致当凸部容纳于缓冲层的凹部时,在其间形成复数个间隙,以利排热;d)在缓冲层上生长复数个发光层,具有形成于复数个发光层和缓冲层间的介质层;e)蚀刻穿透复数个发光层和缓冲层来形成通道,以利排热;f)通过准分子激光剥离来移除蓝宝石基板和凸部;g)粗化介质层;以及h)在粗化的介质层上沉积电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华新丽华股份有限公司,未经华新丽华股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010175007.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top