[发明专利]带有准光子晶体波导阵列的量子级联激光器及其制作方法

摘要

一种带有准光子晶体波导阵列的量子级联激光器，包括：一衬底；一下波导层生长在衬底之上，且中间有一凸台，凸台的两侧形成脊型双沟台面结构；一量子级联有源区结构生长在下波导层的凸台之上；一上波导层生长在量子级联有源区结构之上；一上包层生长在上波导层之上；一上覆盖层生长在上包层之上；一高掺杂欧姆接触层生长在上覆盖层之上；一准光子晶体波导阵列制作在上覆盖层和高掺杂欧姆接触层的两侧，中间的宽度为2μm-10μm，两侧的准光子晶体波导阵列的宽度相同，分别为5-24μm；一电绝缘层沉积在欧姆接触层之上，覆盖整个脊型台面上表面和侧壁，在覆盖有绝缘层的脊型台面中心部位留出电注入窗口；一正面电极制作在绝缘层之上；一背面电极生长在衬底的背面。

主权项

一种带有准光子晶体波导阵列的量子级联激光器，该结构包括：一衬底；一下波导层，该下波导层生长在衬底之上，且中间有一凸台，凸台的两侧形成脊型双沟台面结构；一量子级联有源区结构，该量子级联有源区结构生长在下波导层的凸台之上；一上波导层，该上波导层生长在量子级联有源区结构之上；一上包层，该上包层生长在上波导层之上；一上覆盖层，该上覆盖层生长在上包层之上；一高掺杂欧姆接触层，该高掺杂欧姆接触层生长在上覆盖层之上；一准光子晶体波导阵列，该准光子晶体波导阵列制作在上覆盖层和高掺杂欧姆接触层的两侧，中间的宽度为2μm‑10μm，两侧的准光子晶体波导阵列的宽度相同，分别为5‑24μm；一电绝缘层，该电绝缘层沉积在欧姆接触层之上，覆盖整个脊型台面上表面和侧壁，在覆盖有绝缘层的脊型台面中心部位留出电注入窗口；一正面电极，该正面电极制作在绝缘层之上；一背面电极，该背面电极生长在衬底的背面；