[发明专利]基于横向诱导晶化多晶硅薄膜的薄膜晶体管的制备方法

摘要

本发明提供一种基于横向诱导晶化多晶硅薄膜的薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底上形成非晶硅层，然后形成氧化物层；在氧化物层上刻蚀出凹槽，以暴露出非晶硅层；在暴露的非晶硅层上形成镍硅氧化物薄膜，其厚度为在惰性或保护气体环境、590℃下退火1小时；晶化完成后，去除残余的镍硅氧化物和氧化物层，并通过光刻形成有源岛；沉积100nm的氧化物层；采用脉冲激光照射样品表面；最后以栅绝缘层为100nm氧化物层，以280nm多晶硅为栅电极，离子注入后形成源漏电极，再沉积500nm氧化物，形成接触孔和金属引出电极。采用上述方法降低了TFT的关闭态电流和栅极引发漏极漏电流。

主权项

1.基于横向诱导晶化多晶硅薄膜的薄膜晶体管的制备方法，包括：步骤1)：在衬底上形成非晶硅层，然后形成氧化物层；步骤2)：在所述氧化物层上刻蚀出凹槽，以暴露出非晶硅层；步骤3)：在所述暴露的非晶硅层上形成镍硅氧化物薄膜，该镍硅氧化物薄膜的厚度为2.5～50步骤4)：将步骤3)所得产物在惰性或保护气体环境、590℃下退火1小时；步骤5)：晶化完成后，去除残余的镍硅氧化物和氧化物层，并通过光刻形成有源岛；步骤6)：沉积100nm的氧化物层；步骤7)：采用二倍频和三倍频脉冲激光同时照射样品表面；步骤8)：栅绝缘层为100nm氧化物层，以280nm多晶硅为栅电极，离子注入后形成源漏电极；步骤9)：采用二倍频脉冲激光照射；步骤10)：沉积500nm氧化物作为电极绝缘层，形成接触孔和金属引出电极。