[发明专利]Cu2CdSnSe4纳米晶的制备方法无效

专利信息
申请号: 201010175651.6 申请日: 2010-05-14
公开(公告)号: CN101823702A 公开(公告)日: 2010-09-08
发明(设计)人: 刘玉峰;陈鑫;葛美英;吴杰;孙艳;戴宁 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: C01B19/00 分类号: C01B19/00
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 郭英
地址: 20008*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种低成本、高质量的Cu2CdSnSe4纳米晶的制备方法,该方法是通过将反应物前驱体油胺、乙酰丙酮酸铜、醋酸镉、醋酸锡和硒粉加入反应烧瓶中,然后升高温度进行反应,最终得到高质量的Cu2CdSnSe4纳米晶。本发明的优点在于:纳米晶的制备方法简单,所用前驱体材料成本低廉,制备的纳米晶颗粒分散性、结晶性较好等。该发明制备的纳米晶可作为热电器件材料。
搜索关键词: cu sub cdsnse 纳米 制备 方法
【主权项】:
一种Cu2CdSnSe4纳米晶的制备方法,其特征在于制备方法如下:依次将反应物前驱体20-200mmol油胺、0.5-5mmol乙酰丙酮酸铜、0.25-2.5mmol醋酸镉、0.25-2.5mmol醋酸锡和1-10mmol硒粉加入三口圆底烧瓶反应器中,在氩气氛围中升高温度至前躯体全部溶解,然后将反应温度升高到250-370℃反应1-60分钟,停止反应后再向冷却后的反应产物中加入甲醇使纳米粒子沉降;最后以3000-14000转/min的速度离心1-10分钟收集纳米晶。
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