[发明专利]宽谱宽角吸收太阳电池类蛾眼减反结构及其制作方法有效
申请号: | 201010175937.4 | 申请日: | 2010-05-14 |
公开(公告)号: | CN101866959A | 公开(公告)日: | 2010-10-20 |
发明(设计)人: | 周健;孙晓玮;谈惠祖;周舟;周建华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 潘振甦 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于单晶硅衬底的宽谱宽角吸收太阳电池类蛾眼减反结构及其制作方法,其特征在于借助仿生学原理,采用类蛾眼微纳结构作为减反层,增加光能捕获;微纳结构是采用拉膜(LM)法形成密集单层硅或硅化物颗粒网络,作为掩模形成的;采用干法刻蚀工艺,刻蚀单晶Si,形成微纳结构,避免了湿法腐蚀腐蚀深度受限的不足;调节掩模颗粒大小和密度,来调节类蛾眼微纳结构的光学折射系数梯度,实现0-60度宽入射光的宽角度吸收;采用调节微纳结构的尺寸(20-800纳米)、深度和周期性的方法,实现红外、可见、紫外(250纳米-2.5微米)的宽谱段光能吸收,从而提高电池效率。 | ||
搜索关键词: | 宽谱宽角 吸收 太阳电池 类蛾眼减反 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种宽谱宽角吸收太阳电池类蛾眼减反结构,其特征在于:①借鉴夜蛾复眼表面结构,以晶体硅为衬底采用类蛾眼微纳结构作为减反层;②所述的微纳结构是采用拉膜法形成密集单层纳米硅或硅化物固体颗粒网络,充当掩膜采用干法刻蚀工艺,刻蚀晶体硅形成的;③所述的微纳结构是由周期性或准周期性高度在20纳米-10微米范围可调,直径在20纳米-10微米可调的硅圆柱体紧密排列而成的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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