[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201010176519.7 | 申请日： | 2010-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN101894816A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 安村文次;土屋文男;伊东久范;井手琢二;川边直树;佐藤齐尚 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/607 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;陈宇萱 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种可以防止半导体器件的最上层中的保护膜断裂以及改进半导体器件可靠性的技术。在半导体芯片的主表面上方形成的键合焊盘为四边形形状，并且按照以下方式在每个键合焊盘上方的保护膜中形成开口，即，每个键合焊盘的接线键合区域中的保护膜交叠宽度变得宽于每个键合焊盘的探针区域中的保护膜交叠宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括安装于其上的四边形半导体芯片，所述半导体芯片具有：主表面，其中布置有多个键合焊盘，每个键合焊盘为矩形形状，被分为键合区域和探针区域；以及与所述主表面相对的背表面，其中：所述半导体芯片在每个所述键合焊盘的较高层中具有保护膜；所述保护膜覆盖每个所述键合焊盘的外围，并且具有开口以暴露每个所述键合焊盘的上表面；以及所述保护膜与每个键合焊盘的外围在所述键合区域中的交叠宽度变得宽于所述保护膜与每个键合焊盘的外围在所述探针区域中的交叠宽度。
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