[发明专利]一种采用硫化物去除工业硅中硼磷杂质的方法无效

专利信息
申请号: 201010177791.7 申请日: 2010-05-20
公开(公告)号: CN101837980A 公开(公告)日: 2010-09-22
发明(设计)人: 罗学涛;龚惟扬;李锦堂;吴浩;沈晓杰 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 厦门南强之路专利事务所 35200 代理人: 马应森
地址: 361005 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 一种采用硫化物去除工业硅中硼磷杂质的方法,涉及工业硅。将渣料预熔;将预熔后的渣料与工业硅混合后放入石墨坩埚,抽真空,当真空度小于500Pa时启动罗茨泵,使真空在5Pa以下,接着关闭真空阀,通过石墨通气棒向体系通入Ar气,使真空度维持在5000~10000Pa;启动中频感应电源加热,待熔化后将石墨通气棒降至硅液表面上方1~3cm预热后,通入Ar气,并将通气棒插入硅液,通气搅拌;测量熔液温度,通过调节中频频率使反应温度维持在1600~1800℃;造渣后将通气棒升离坩埚,将熔炼完成的熔液浇注入模具中,凝固,得硅锭,完成采用硫化物去除工业硅中硼磷杂质的工作。可操作性强,适合于产业化。
搜索关键词: 一种 采用 硫化物 去除 工业 硅中硼磷 杂质 方法
【主权项】:
一种采用硫化物去除工业硅中硼磷杂质的方法,其特征在于包括以下步骤:1)将渣料预熔;2)将预熔后的渣料与工业硅混合后放入石墨坩埚,抽真空,当真空度小于500Pa时启动罗茨泵,使真空在5Pa以下,接着关闭真空阀,通过石墨通气棒向体系通入Ar气,使真空度维持在5000~10000Pa;3)启动中频感应电源加热,待熔化后将石墨通气棒降至硅液表面上方1~3cm预热后,通入Ar气,并将通气棒插入硅液,通气搅拌;4)测量熔液温度,通过调节中频频率使反应温度维持在1600~1800℃;5)造渣后将通气棒升离坩埚,将熔炼完成的熔液浇注入模具中,凝固,得硅锭,完成采用硫化物去除工业硅中硼磷杂质的工作。
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