[发明专利]太阳能电池及其制造方法无效
| 申请号： | 201010178151.8 | 申请日： | 2010-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN102244137A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 荣延栋 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/052 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100026 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种太阳能电池及其制造方法，属于太阳能电池技术领域，其可解决现有的太阳能电池效率低的问题。本发明的太阳能电池制造方法包括对太阳能电池基底进行氢处理的步骤，所述氢处理包括在含氢气氛中于800～1500℃的温度下处理太阳能电池基底。本发明的太阳能电池在制备中经历了上述氢处理。本发明可用于晶体硅太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池制造方法，其特征在于，包括：对太阳能电池基底进行氢处理，所述氢处理包括在含氢气氛中于800摄氏度～1500摄氏度的温度下处理太阳能电池基底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
