[发明专利]SOI衬底的制造方法及SOI衬底

摘要

本发明涉及一种SOI衬底的制造方法及SOI衬底。本发明的目的之一在于抑制当贴合玻璃衬底和单晶半导体衬底来制造SOI衬底时产生的硅层表面的粗糙。或者，本发明的目的之一在于提供一种抑制上述粗糙并提高成品率的半导体装置。通过对接合衬底照射加速了的离子来在该接合衬底中形成脆化区，在接合衬底或支撑衬底的表面上形成绝缘层，隔着绝缘层使接合衬底和支撑衬底贴合并在接合衬底和支撑衬底的一部分中形成不贴合的区域，通过进行热处理，在脆化区中分离接合衬底来在支撑衬底上形成半导体层。

主权项

一种绝缘体上硅衬底的制造方法，该方法包括如下步骤：在接合衬底中形成脆化区；在所述接合衬底的表面上形成绝缘层；在所述绝缘层中形成凹部；隔着具有所述凹部的所述绝缘层使所述接合衬底和支撑衬底贴合；以及从所述支撑衬底分离所述接合衬底，而使所述接合衬底的表面和所述脆化区之间的层残留在所述支撑衬底上。