[发明专利]场效应晶体管有效
| 申请号： | 201010178281.1 | 申请日： | 2010-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN101894863A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 竹中功;麻埜和则;石仓幸治 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/16;H01L29/10;H03F3/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种场效应晶体管。根据本发明的场效应晶体管包括：硅衬底，该硅衬底具有不大于0.02Ω·cm的电阻率；沟道层，该沟道层被形成在硅衬底上并且具有至少5μm的厚度；阻挡层，该阻挡层被形成在沟道层上并且给沟道层提供电子；二维电子气层，通过沟道层和阻挡层之间的异质结形成该二维电子气层；源电极和漏电极，该源电极和漏电极均与阻挡层形成欧姆接触；以及栅电极，该栅电极被形成在源电极和漏电极之间，并且与阻挡层形成肖特基势垒结。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，包括：硅衬底，所述硅衬底具有不大于0.02Ω·cm的电阻率；沟道层，所述沟道层被形成在所述硅衬底上并且具有至少5μm的厚度；阻挡层，所述阻挡层被形成在所述沟道层上并且给所述沟道层提供电子；二维电子气层，由所述沟道层和所述阻挡层之间的异质结形成所述二维电子气层；源电极和漏电极，所述源电极和漏电极每个均与所述阻挡层形成欧姆接触；以及栅电极，所述栅电极被形成在所述源电极和漏电极之间，并且与所述阻挡层形成肖特基势垒结。
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