[发明专利]高效太阳能电池及其制备方法无效
申请号: | 201010178414.5 | 申请日: | 2006-10-30 |
公开(公告)号: | CN101840962A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 朴铉定 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 师杨;朱梅 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种高效太阳能电池。更具体地,提供了一种包括第一导电型半导体基板、在第一导电型半导体基板上形成且具有与该基板导电型相反导电型的第二导电型半导体层、在其间界面上的p-n结、与第一导电型半导体基板的至少一部分接触的后电极、与第二导电型半导体层的至少一部分接触的前电极及在第一导电型半导体基板的后表面和/或第二导电型半导体层的前表面上顺序形成的氮氧化硅钝化层和氮化硅减反射层的太阳能电池及其制备方法。 | ||
搜索关键词: | 高效 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种制备太阳能电池的方法,该方法包括:形成半导体层以在基板和该半导体层之间的界面上形成p-n结,所述基板具有第一导电型,且所述半导体层具有与该第一导电型相反的第二导电型;在所述半导体层上形成SiOxNy钝化层;在所述钝化层上形成氮化硅减反射层;形成与半导体基板连接的第一电极;和形成通过所述减反射层和钝化层与所述半导体层连接的第二电极,其中,钝化层的形成和减反射层的形成是经原位连续形成的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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