[发明专利]高效太阳能电池及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201010178414.5 申请日: 2006-10-30
公开(公告)号: CN101840962A 公开(公告)日: 2010-09-22
发明(设计)人: 朴铉定 申请(专利权)人: LG电子株式会社
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0216
代理公司: 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 代理人: 师杨;朱梅
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明公开了一种高效太阳能电池。更具体地,提供了一种包括第一导电型半导体基板、在第一导电型半导体基板上形成且具有与该基板导电型相反导电型的第二导电型半导体层、在其间界面上的p-n结、与第一导电型半导体基板的至少一部分接触的后电极、与第二导电型半导体层的至少一部分接触的前电极及在第一导电型半导体基板的后表面和/或第二导电型半导体层的前表面上顺序形成的氮氧化硅钝化层和氮化硅减反射层的太阳能电池及其制备方法。
搜索关键词: 高效 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种制备太阳能电池的方法,该方法包括:形成半导体层以在基板和该半导体层之间的界面上形成p-n结,所述基板具有第一导电型,且所述半导体层具有与该第一导电型相反的第二导电型;在所述半导体层上形成SiOxNy钝化层;在所述钝化层上形成氮化硅减反射层;形成与半导体基板连接的第一电极;和形成通过所述减反射层和钝化层与所述半导体层连接的第二电极,其中,钝化层的形成和减反射层的形成是经原位连续形成的。
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