[发明专利]一种适用于单晶高温合金的阻扩散涂层的制备方法无效
| 申请号： | 201010179070.X | 申请日： | 2010-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN101845609A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 郭洪波;姚锐;彭徽;宫声凯;徐惠彬 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京永创新实专利事务所 11121 | 代理人： | 官汉增 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于单晶高温合金的阻扩散涂层的制备方法，通过采用电子束物理气相沉积工艺，在单晶高温合金基体表面沉积一层弥散分布的纳米级或亚微米级碳化物的渗碳层，扩散处理后再沉积MCrA1X粘结层(M为Ni、Co中的一种或其组合，X为Y，Dy，Hf)，通过渗碳层与合金中的过饱和的难熔合金元素主动形成纳米或亚微米级的碳化物，降低难熔合金元素在合金内部析出的机会，提高合金内部的组织稳定性。经过渗碳处理的阻扩散涂层中渗碳层的厚度为20～40μm，元素扩散区域在渗碳层厚度范围内，并且阻止了有害SRZ和TCP相的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 高温 合金 扩散 涂层 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种适用于单晶高温合金的阻扩散涂层，其特征在于：所述的阻扩散涂层由渗碳层和MCrAlX粘结层构成；通过电子束物理气相沉积方法在单晶高温合金基体表面沉积一层渗碳层，扩散处理后再沉积MCrAlX粘结层，其中M为Ni、Co中的一种或其组合，X为Y，Dy，Hf。
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