[发明专利]单片集成锁相面发射分布反馈半导体激光器阵列有效
| 申请号： | 201010179529.6 | 申请日： | 2010-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN101841129A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 胡永生;秦莉;叶淑娟;张楠;宁永强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/187 | 分类号： | H01S5/187;H01S5/065;H01S5/14;H01S5/22 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 单片集成锁相面发射分布反馈半导体激光器阵列，涉及一种新的半导体激光器阵列锁相结构，它解决了现有外部耦合(Talbot外腔)锁相技术无法实现单片集成，装调困难；内部耦合(漏波耦合)锁相技术因出光区宽度受限而影响出光功率的问题，该结构包括周期性间隔排列的分布布拉格反射器和面发射分布反馈半导体激光器阵列条，所述每个面发射分布反馈半导体激光器阵列条与左右两端的分布布拉格反射器构成外腔反馈激光器；左端的分布布拉格反射器为外腔反馈激光器提供外腔的光反馈；右端的分布布拉格反射器提供端面反射；同时右端的分布布拉格反射器与下一个激光器阵列条构成外腔反馈激光器；本发明可应用于军事、工业、医疗和空间光通信等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 集成 相面 发射 分布 反馈 半导体激光器 阵列 | ||
【主权项】：
单片集成锁相面发射分布反馈半导体激光器阵列，包括M个分布布拉格反射器和N个面发射分布反馈半导体激光器阵列条，其特征是，每个分布布拉格反射器与每个面发射分布反馈半导体激光器阵列条周期性间隔排列，所述每个面发射分布反馈半导体激光器阵列条与左右两端的分布布拉格反射器构成外腔反馈激光器；所述每个面发射分布反馈半导体激光器阵列条左端的分布布拉格反射器为所述外腔反馈激光器提供外腔的光反馈；每个面发射分布反馈半导体激光器阵列条右端的分布布拉格反射器为所述外腔反馈激光器提供端面反射；所述M和N均为自然数，且M＝N+1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，未经中国科学院长春光学精密机械与物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010179529.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
