[发明专利]一种大面积、高度均匀有序量子点阵列制造方法无效
| 申请号： | 201010179562.9 | 申请日： | 2010-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN101830430A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 兰红波;楼刚;波尔.伍都;宾贝格.笛特;丁玉成 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 济南圣达专利商标事务所有限公司 37221 | 代理人： | 张勇 |
| 地址： | 250061 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种大面积、高度均匀有序量子点阵列制造方法。其方法为：它采用软紫外纳米压印光刻UV-NIL和感应耦合等离子体刻蚀ICP工艺在衬底上制备出纳米孔图形阵列；以制备的图形化衬底为模板，使用金属有机化学气相沉积系统MOCVD自组织生长量子点。本发明实现了大面积、高度均匀有序量子点阵列的低成本、一致性和批量化制备，可应用于量子点激光器、量子点存储器、量子点太阳能电池、量子点LED、单光子发射器等器件的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大面积 高度 均匀 有序 量子 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种大面积、高度均匀有序量子点阵列制造方法，其特征在于，它采用软紫外纳米压印光刻UV-NIL和感应耦合等离子体刻蚀ICP工艺在衬底上制备出纳米孔图形阵列；以制备的图形化衬底为模板，使用金属有机化学气相沉积系统MOCVD自组织生长量子点；其具体工艺步骤是：（1）衬底预处理；（２）图形化衬底，采用软紫外纳米压印光刻UV-NIL和感应耦合等离子体刻蚀ICP工艺在衬底上制备出纳米孔图形阵列；（３）使用氧化层去除工艺，去除图形表面氧化层；（４）生长缓冲层，生长10-30nm的缓冲层； （５）生长量子点，使用金属有机化学气相沉积系统MOCVD自组织生长均匀有序、位置可控的量子点阵列；（６）沉积覆盖层，首先沉积一层2-4nm薄的覆盖层，随后沉积70～80nm厚的覆盖层；（７）退火处理。
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