[发明专利]两嵌段共聚物直接组装纳米结构的装置和方法无效
申请号: | 201010179564.8 | 申请日: | 2010-05-24 |
公开(公告)号: | CN101837950A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 兰红波;丁玉成 | 申请(专利权)人: | 山东大学 |
主分类号: | B82B3/00 | 分类号: | B82B3/00 |
代理公司: | 济南圣达专利商标事务所有限公司 37221 | 代理人: | 张勇 |
地址: | 250061 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明涉及一种两嵌段共聚物直接组装纳米结构的装置和方法。整个装置包括一个具有化学表面图形的导电模板、两嵌段共聚物PS-b-PMMA、导电化的基底和直流电场,其中两嵌段共聚物PS-b-PMMA置于导电模板和基底之间。通过具有化学表面图形的导电模板和电场共同作用调控两嵌段共聚物微相分离的取向和形态,促使两嵌段共聚物微相分离在一定程度上进行可控有序的排列,直接组装出纳米结构。本发明能够实现大面积、长程有序Sub-10nm结构的制造,特别适合高密度和周期性阵列纳米孔、纳米柱以及层状等纳米结构的制造。 | ||
搜索关键词: | 两嵌段 共聚物 直接 组装 纳米 结构 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种两嵌段共聚物直接组装纳米结构的装置,其特征是,它包括一个具有化学表面图形的导电模板、聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯PS-b-PMMA两嵌段共聚物、导电化的基底和直流电场,其中两嵌段共聚物PS-b-PMMA置于导电模板和基底之间,导电模板与直流电场的阳极连接,基底则与直流电场的阴极连接。
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