[发明专利]具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201010180143.7 | 申请日： | 2010-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN101859861A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 林素慧;何安和;彭康伟;林科闯;郑建森 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所 35101 | 代理人： | 徐东峰 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法，其采用分布布拉格反射层与金属反射层相结合的双重反射结构，充分发挥了反射层的优异反射性，大大提高发光二极管的发光效率；在分布布拉格反射层中制作开口结构用于填充金属反射层，形成导电功能，避免传统倒装发光二极管中金属反射层与其它金属电极相互扩散而致使金属反射层的反射率降低的现象发生。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 反射层 氮化 倒装 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管，其特征在于：在蓝宝石基板上依次生长GaN缓冲层、N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层；在P-GaN层上形成透明导电层；在N-GaN层上形成N电极欧姆接触金属层；网格状分布的布拉格反射层形成于透明导电层上；金属反射层形成于布拉格反射层与透明导电层的表面暴露部分上；金属反射层上形成P电极欧姆接触金属层；SiO2钝化层覆盖于P电极欧姆接触金属层、暴露的N-GaN层及N电极欧姆接触金属层上，在SiO2钝化层形成一接触窗口；SiO2钝化层的接触窗口通过金属导电层及金丝球焊点与Si散热基板粘合。
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