[发明专利]一种完全与标准CMOS工艺兼容的温度补偿电流源无效

专利信息
申请号: 201010180562.0 申请日: 2010-05-20
公开(公告)号: CN102253681A 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 赵喆;周锋;黄圣专 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 包兆宜
地址: 20043*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明属集成电路技术领域,具体涉及一种完全与标准CMOS工艺兼容的新型温度补偿电流源。它由四个NMOS管、三个PMOS管、一个补偿电阻和一个运算放大器组成。运算放大器的结构为传统的两级密勒补偿运算放大器,并自带偏置电路。高增益的运算放大器保证差分输入端的电压相同,其余的四个NMOS管、三个PMOS管和一个补偿电阻构成了温度补偿电流源的主体电路,利用电阻、MOS管的迁移率和阈值电压的不同温度系数实现完全与标准CMOS工艺兼容的温度补偿电流源,本发明结构简单,温度系数低,面积小,成本低,适用于各种模拟电路、模数混合电路中。
搜索关键词: 一种 完全 标准 cmos 工艺 兼容 温度 补偿 电流
【主权项】:
一种完全与标准CMOS工艺兼容的温度补偿电流源,其特征在于由PMOS管(4、5、6)、NMOS管(1、2、3、7)、补偿电阻(8)、运算放大器(9)经电路连接构成;其中,运算放大器具有高增益,保证运算放大器的输入端所连接的节点电压相同,PMOS管(4、5、6)、NMOS管(1、2、3、7)、补偿电阻(8)组成电流源的主体电路,电阻、MOS管的迁移率和阈值电压的不同温度系数实现电流源的温度补偿。
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