[发明专利]使用含氮前体的介电阻挡层沉积有效
申请号: | 201010180939.2 | 申请日: | 2010-05-13 |
公开(公告)号: | CN101886255A | 公开(公告)日: | 2010-11-17 |
发明(设计)人: | A·马利卡珠南;R·N·维尔蒂斯;L·M·马兹;M·L·奥尼尔;A·D·约翰森;萧满超 | 申请(专利权)人: | 气体产品与化学公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;H01L21/768 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈文平;徐志明 |
地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及使用含氮前体的介电阻挡层沉积。本发明提供了一种在集成电路衬底的介电薄膜和金属互连之间形成碳氮化硅阻挡介电薄膜的方法,包括步骤:提供具有介电薄膜的集成电路衬底;使所述衬底与含RxR’y(NR”R’”)zSi的阻挡介电薄膜前体相接触,其中R、R’、R”和R’”各独立地选自氢、直链或支链的饱和或不饱和烷基或芳香基;其中x+y+z=4;z=1-3;但是R、R’不能同时为氢;在集成电路衬底上形成C/Si比>0.8和N/Si比>0.2的碳氮化硅阻挡介电薄膜。 | ||
搜索关键词: | 使用 含氮前体 阻挡 沉积 | ||
【主权项】:
一种在集成电路衬底的介电薄膜和金属互连之间形成碳氮化硅阻挡介电薄膜的方法,包括以下步骤:提供具有介电薄膜的集成电路衬底;使所述衬底与含RxR’y(NR”R’”)zSi的阻挡介电薄膜前体接触,其中R、R’、R”和R’”各独立地选自氢、直链或支链的饱和或不饱和烷基或芳香基;其中x+y+z=4;z=1-3;但是R、R’不能同时为氢;在集成电路衬底上形成C/Si比>0.8和N/Si比>0.2的碳氮化硅阻挡介电薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的