[发明专利]使用含氮前体的介电阻挡层沉积有效

专利信息
申请号: 201010180939.2 申请日: 2010-05-13
公开(公告)号: CN101886255A 公开(公告)日: 2010-11-17
发明(设计)人: A·马利卡珠南;R·N·维尔蒂斯;L·M·马兹;M·L·奥尼尔;A·D·约翰森;萧满超 申请(专利权)人: 气体产品与化学公司
主分类号: C23C16/513 分类号: C23C16/513;H01L21/768
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 陈文平;徐志明
地址: 美国宾夕*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及使用含氮前体的介电阻挡层沉积。本发明提供了一种在集成电路衬底的介电薄膜和金属互连之间形成碳氮化硅阻挡介电薄膜的方法,包括步骤:提供具有介电薄膜的集成电路衬底;使所述衬底与含RxR’y(NR”R’”)zSi的阻挡介电薄膜前体相接触,其中R、R’、R”和R’”各独立地选自氢、直链或支链的饱和或不饱和烷基或芳香基;其中x+y+z=4;z=1-3;但是R、R’不能同时为氢;在集成电路衬底上形成C/Si比>0.8和N/Si比>0.2的碳氮化硅阻挡介电薄膜。
搜索关键词: 使用 含氮前体 阻挡 沉积
【主权项】:
一种在集成电路衬底的介电薄膜和金属互连之间形成碳氮化硅阻挡介电薄膜的方法,包括以下步骤:提供具有介电薄膜的集成电路衬底;使所述衬底与含RxR’y(NR”R’”)zSi的阻挡介电薄膜前体接触,其中R、R’、R”和R’”各独立地选自氢、直链或支链的饱和或不饱和烷基或芳香基;其中x+y+z=4;z=1-3;但是R、R’不能同时为氢;在集成电路衬底上形成C/Si比>0.8和N/Si比>0.2的碳氮化硅阻挡介电薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于气体产品与化学公司,未经气体产品与化学公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010180939.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top