[发明专利]磁阻式随机存取存储器元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201010180973.X | 申请日： | 2010-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN102208529A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 谢君毅;吴昌荣 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L27/22;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 刘云贵 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种磁阻式随机存取存储器元件，包含有：下部电极，设于第一绝缘层中；环状参考层，位于第二绝缘层的第一介层洞内，该第二绝缘层位于该第一绝缘层上，且该环状参考层位于该下部电极正上方；第一填缝材料层，填入该第一介层洞中；阻障层，覆盖该环状参考层，该第二绝缘层以及该第一填缝材料层；环状自由层，设于第三绝缘层的第二介层洞内，该第三绝缘层位于该第二绝缘层上，且该环状自由层位于该环状参考层正上方；以及上部电极，堆叠于该环状自由层上。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 随机存取存储器 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种磁阻式随机存取存储器元件，其特征在于，包含有：下部电极，设于第一绝缘层中；环状参考层，位于第二绝缘层的第一介层洞内，该第二绝缘层位于该第一绝缘层上，且该环状参考层位于该下部电极正上方；第一填缝材料层，填入该第一介层洞中；阻障层，覆盖该环状参考层，该第二绝缘层以及该第一填缝材料层；环状自由层，设于第三绝缘层的第二介层洞内，该第三绝缘层位于该第二绝缘层上，且该环状自由层位于该环状参考层正上方；以及上部电极，堆叠于该环状自由层上。
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