[发明专利]一种内部含有三维导电结构的锂离子电池负极材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201010181386.2 | 申请日： | 2010-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101986442A | 公开（公告）日： | 2011-03-16 |
| 发明（设计）人： | 耿世达 | 申请（专利权）人： | 耿世达 |
| 主分类号： | H01M4/13 | 分类号： | H01M4/13;H01M4/62;H01M4/139 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 116422 辽宁省大连市*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种内部含有三维导电结构的锂离子电池负极材料及其制备方法。本发明采用纳米硅粉为内核，用纳米碳材料包覆纳米硅粉形成含核导电体，用纳米金属或金属氧化物对含核导电体再次包覆，经两次包覆即构成一种内部含有三维导电结构的锂离子电池负极材料硅微米粒子，并给出了该负极材料的制备方法。本发明制备的锂离子电池负极材料，内部形成三维导电结构，材料应用于锂离子电池负极材料，其容量大于1500mAh/g，500次循环容量保持80％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 内部 含有 三维 导电 结构 锂离子电池 负极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种内部含有三维导电结构的锂离子电池负极材料，其特征在于：所述负极材料以纳米硅粉为内核，用纳米碳材料包覆纳米硅粉形成含核导电体，该含核导电体壳层及内核形成第一导电层，用纳米金属或金属氧化物对含核导电体再次包覆，再次包覆的壳体形成第二导电层，经两次包覆即构成负极材料硅微米粒子，该硅微米粒子的第二导电层与第一导电层共同形成三维导电网络。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于耿世达，未经耿世达许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010181386.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：热头及热头的制造方法
- 下一篇：一种短信的调度方法和系统
