[发明专利]紧密堆积阵列与柔性电路的互连有效
| 申请号： | 201010181891.7 | 申请日： | 2010-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN101894769A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | D·L·马索普斯特;J·R·安德鲁斯;C·J·斯莱恩斯 | 申请（专利权）人： | 施乐公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李娜;李家麟 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及紧密堆积阵列与挠性电路的互连。示例性实施例提供用于通过用导电材料填充化学蚀刻或激光烧蚀的整体模版来互连电器件阵列与柔性电路的互连和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 紧密 堆积 阵列 柔性 电路 互连 | ||
【主权项】：
一种互连方法，包括：将挠性电路的接触垫与电器件阵列的阵列单元预先对准，在所述接触垫和所述阵列单元之间设置隔离层，其中所述隔离层包括开口并且所述接触垫覆盖该开口的一部分；移除所述挠性电路的衬底部分以沿挠性电路形成通孔并且暴露所述接触垫；以及将导电材料填充到隔离层的开口中并且到沿挠性电路形成的通孔中；其中导电材料接触阵列单元的接合垫并且接触挠性电路的接触垫以便建立电连续性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
