[发明专利]一种细长型的碲镉汞单元光导探测器有效
申请号: | 201010182345.5 | 申请日: | 2010-05-21 |
公开(公告)号: | CN101866974A | 公开(公告)日: | 2010-10-20 |
发明(设计)人: | 王妮丽;刘诗嘉;赵水平;兰添翼;许金通;姜佩璐;朱龙源 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 20008*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种细长型的碲镉汞单元光导探测器,该探测器包括在碲镉汞薄片上,通过光刻形成光敏区、电极区、电阻区。其特征在于它比一般的光导探测器多一个电阻区。电阻区的作用主要是为了减小探测器的电阻,而且对光不产生响应。为了达到这个效果,电阻区与光敏区和电极区之间用负胶层和SiO2层作为复合绝缘介质,并在绝缘介质上生长金属铬金和金属金来作为阻挡层来阻挡光进入碲镉汞。本发明的优点是:探测器的电阻区不仅减小了探测器的电阻,而且对光没有响应。 | ||
搜索关键词: | 一种 细长 碲镉汞 单元 探测器 | ||
【主权项】:
一种细长型的碲镉汞单元光导探测器,其特征在于:碲镉汞薄片通过环氧胶固定在衬底上的,与衬底接触的碲镉汞薄片一面带有阳极氧化层;通过光刻在碲镉汞薄片的另一面形成细长形光敏区,电阻区和电极区;在所述的电极区的碲镉汞上生长有厚度为200埃的金属铟层、厚度为2000埃的金属金层、厚度为200埃的金属铬层和厚度为2000埃的金属金层;在所述的电阻区的碲镉汞上依次生长有厚度为10000埃的负胶层、厚度为5000埃的SiO2层作为复合绝缘介质;厚度为200埃的金属铬层和厚度为2000埃的金属金层作为反射层阻挡光进入碲镉汞;在碲镉汞薄片的四周侧面依次生长有厚度为10000埃的负胶层和厚度为5000埃的SiO2层作为复合绝缘介质,厚度为200埃的金属铬层和厚度为2000埃的金属金层作为阻挡层来阻挡光进入碲镉汞。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所,未经中国科学院上海技术物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010182345.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的