[发明专利]一种细长型的碲镉汞单元光导探测器有效

专利信息
申请号: 201010182345.5 申请日: 2010-05-21
公开(公告)号: CN101866974A 公开(公告)日: 2010-10-20
发明(设计)人: 王妮丽;刘诗嘉;赵水平;兰添翼;许金通;姜佩璐;朱龙源 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: H01L31/09 分类号: H01L31/09;H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/18
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 郭英
地址: 20008*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种细长型的碲镉汞单元光导探测器,该探测器包括在碲镉汞薄片上,通过光刻形成光敏区、电极区、电阻区。其特征在于它比一般的光导探测器多一个电阻区。电阻区的作用主要是为了减小探测器的电阻,而且对光不产生响应。为了达到这个效果,电阻区与光敏区和电极区之间用负胶层和SiO2层作为复合绝缘介质,并在绝缘介质上生长金属铬金和金属金来作为阻挡层来阻挡光进入碲镉汞。本发明的优点是:探测器的电阻区不仅减小了探测器的电阻,而且对光没有响应。
搜索关键词: 一种 细长 碲镉汞 单元 探测器
【主权项】:
一种细长型的碲镉汞单元光导探测器,其特征在于:碲镉汞薄片通过环氧胶固定在衬底上的,与衬底接触的碲镉汞薄片一面带有阳极氧化层;通过光刻在碲镉汞薄片的另一面形成细长形光敏区,电阻区和电极区;在所述的电极区的碲镉汞上生长有厚度为200埃的金属铟层、厚度为2000埃的金属金层、厚度为200埃的金属铬层和厚度为2000埃的金属金层;在所述的电阻区的碲镉汞上依次生长有厚度为10000埃的负胶层、厚度为5000埃的SiO2层作为复合绝缘介质;厚度为200埃的金属铬层和厚度为2000埃的金属金层作为反射层阻挡光进入碲镉汞;在碲镉汞薄片的四周侧面依次生长有厚度为10000埃的负胶层和厚度为5000埃的SiO2层作为复合绝缘介质,厚度为200埃的金属铬层和厚度为2000埃的金属金层作为阻挡层来阻挡光进入碲镉汞。
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