[发明专利]一种以四氯化硅为硅源制备超长SiC纳米线的方法

摘要

本发明公开了以四氯化硅为硅源制备超长SiC纳米线的方法。本发明以四氯化硅、碳质材料粉体、水或碱性溶液为原料，在碳质材料粉体的表面生成原硅酸，高温下原硅酸分解获得二氧化硅与碳质材料粉体的均匀混合物。将混合物放入石墨坩埚中，并用盖子将坩埚盖好后放入高温真空烧结炉中，抽真空并充入氩气保护气，然后加热到1200～1700℃，保持高温一段时间后关掉电源。冷却后取出石墨坩锅，得到棉花状淡绿色产物。将产物采用X射线衍射分析产物的相组成，场发射扫描电镜观察其形貌，用透射电镜分析其微结构。本发明制备的超长SiC纳米线为单晶β-SiC相，纳米线直径为50-200纳米，长度为1-10毫米。

主权项

一种以四氯化硅为硅源制备超长SiC纳米线的方法，其特征在于：先将碳质材料粉体分散于碱性溶液或直接分散在水中，然后在搅拌的情况下，滴加四氯化硅后，过滤得到含碳质材料粉体与原硅酸的混合物；然后用去离子水洗涤混合物，再将原硅酸的混合物加热使原硅酸分解获得二氧化硅与碳质材料粉体的均匀混合物；将所述加热后的混合物放入石墨坩埚中，并用盖子将坩埚盖好，放入高温真空烧结炉中，抽真空到0.1～20Pa，然后充入氩气保护气，然后加热升温到1200～1700℃，保持高温0.5～10小时后关掉电源；冷却后取出石墨坩锅，坩埚内部充有棉花状淡绿色产物；产物为长度为1-10毫米的单晶β-SiC纳米线，纳米线直径为50-200纳米。