[发明专利]一种耐腐蚀抗静电的硅薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201010182394.9 | 申请日： | 2010-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101824593A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 季振国;席俊华;毛启楠;柯伟青 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/28 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 周烽 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种耐腐蚀抗静电的硅薄膜的制备方法，硅薄膜通过激光脉冲沉积法制作，所用的靶材为硅材料。本方法制作工艺简单，沉积时工件不需加热，所用材料及工艺对环境没有污染，硅薄膜同时兼具耐腐蚀和抗静电两种功能，性能十分稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 腐蚀 抗静电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种耐腐蚀抗静电的硅薄膜的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：(1)以硅材料作为靶材，硅靶放置在脉冲激光沉积设备的沉积室中，激光束经聚焦后透过窗口照射在硅靶表面。(2)清洗待镀膜工件表面，除去工件表面的沾污，然后烘干。(3)将工件放入激光脉冲沉积设备的沉积室中，与硅靶的距离为3-15厘米。抽真空至真空室内压强小于0.01Pa。(4)开启高能脉冲激光器，利用激光脉冲使硅靶表面局部瞬间蒸发，在待镀膜工件表面沉积一层硅薄膜。
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