[发明专利]磁场发生装置及其制造方法有效
申请号: | 201010183411.0 | 申请日: | 2010-05-20 |
公开(公告)号: | CN101893692A | 公开(公告)日: | 2010-11-24 |
发明(设计)人: | 罗伯特·哈恩;安德烈亚斯·齐格勒 | 申请(专利权)人: | 西门子公司 |
主分类号: | G01R33/3815 | 分类号: | G01R33/3815 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 任宇 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种尤其是用于磁共振断层造影的磁场发生装置,该磁场发生装置带有至少一个可由冷却剂冷却的超导磁场线圈,该磁场线圈容纳在一壳体内,其中,所述壳体(9)具有至少一个通过深孔钻削制造的、由所述冷却剂流过的孔(10)。 | ||
搜索关键词: | 磁场 发生 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种磁场发生装置、尤其是用于磁共振断层造影仪的磁场发生装置,该磁场发生装置带有至少一个可由冷却剂冷却的超导磁场线圈,该磁场线圈容纳在一壳体内,其特征在于,所述壳体(9)具有至少一个通过深孔钻削制造的、由所述冷却剂流过的孔(10)。
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