[发明专利]太阳电池硅片的制绒方法及制造太阳电池的方法无效
申请号: | 201010183525.5 | 申请日: | 2010-05-14 |
公开(公告)号: | CN101872806A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
发明(设计)人: | 陈东波;王子丰;范琼;杨健;张光春 | 申请(专利权)人: | 无锡尚德太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23F1/24;H01L31/042 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧霁晨;李家麟 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了太阳电池硅片的制绒方法及制造太阳电池的方法。太阳电池硅片的制绒方法,包含背面抛光、制绒和清洗。利用本发明可在不破坏硅片正面的绒面结构的前提下,获得表面状态非常平坦的电池背面,减少金属电极和硅之间的复合,从而提升电池效率。 | ||
搜索关键词: | 太阳电池 硅片 方法 制造 | ||
【主权项】:
一种太阳电池硅片的制绒方法,其特征在于,包含对硅片执行以下步骤:制绒、背面抛光和清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的