[发明专利]用于真空测量的低量程压阻式压力传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201010183674.1 | 申请日： | 2010-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN102261979A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 庄瑞芬;李刚 | 申请（专利权）人： | 苏州敏芯微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | G01L21/00 | 分类号： | G01L21/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215006 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种可以用于真空测量的低量程压阻式压力传感器及其制造方法，所述传感器包括硅片及安装于硅片上方的键合层，所述硅片设有感压薄膜，感压薄膜上突出有岛结构；所述硅片采用岛结构的形式来实现低量程测量的要求；通过键合在硅片上面的键合层以实现绝对压力的测量；另外，所述键合层还设有防止感压薄膜过度变形的止挡块，通过止挡块的设计限制了感压薄膜的最大位移，以实现传感器常压保存与过载保护的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 真空 测量 量程 压阻式 压力传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于真空测量的低量程压阻式压力传感器，其特征在于：包括硅片及安装于硅片上方的键合层，所述硅片包括设有感压薄膜的顶壁、与顶壁相对的底壁、自底壁向上凹设形成的背腔及突伸入背腔内的岛结构，所述感压薄膜与背腔连通且位于背腔的上方，所述感压薄膜在其应力集中区分布有连接成惠斯通电桥的若干压阻条；所述键合层为硅或者玻璃且其包括固定于硅片顶壁上的外框、位于外框内且与感压薄膜连通的腔体及向下突伸入腔体内的止挡块，所述止挡块与感压薄膜之间有间隙，当感压薄膜受到来自背腔的压力而发生变形时，所述止挡块可抵压感压薄膜以限制感压薄膜的过度变形。
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