[发明专利]一种适用于白光LED的单晶荧光材料无效
| 申请号： | 201010184884.2 | 申请日： | 2010-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN101872831A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 李思兰;杨莹;胡泉 | 申请（专利权）人： | 上海嘉利莱实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;C09K11/80 |
| 代理公司： | 上海三和万国知识产权代理事务所 31230 | 代理人： | 蔡海淳 |
| 地址： | 200010 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种适用于白光LED的单晶荧光材料，属照明技术领域。包括设置在发光LED芯片前端的荧光激发/变换层，其特征是：所述的荧光激发/变换层为单晶形态的荧光材料，单晶荧光材料的化学分子式为A3B5O12；其中，A至少包括稀土元素铈Ce、铒Er、钕Nd和/或铕Eu；B包括铝Al和/或镓Ga。其单晶荧光材料采用提拉生长法制得，单晶荧光材料以单晶薄层状或薄片状的结构形式设置在白光LED发光芯片的前端。其激发发射效率高，具有高度均匀性，物化性能稳定、寿命长、热导率高，特别适用于大功率白光LED，更能实现增加红色发光成分和调谐发光波段，可制备低色温，高显色指数的白光LED，满足日益增长的对白光LED发光品质的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 白光 led 荧光 材料 | ||
【主权项】：
一种适用于白光LED的单晶荧光材料，包括设置在发光LED芯片前端的荧光激发/变换层，其特征是：所述的荧光激发/变换层为单晶形态的荧光材料；所述单晶荧光材料的化学分子式为A3B5O12；其中，所述的A包括稀土元素铈Ce、铒Er、钕Nd和/或铕Eu；所述的B包括铝Al和/或镓Ga；所述的单晶荧光材料采用提拉生长法制得；所述的单晶荧光材料以单晶薄层状或薄片状的结构形式设置在白光LED发光芯片的前端。
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