[发明专利]一种大功率高电流密度整流二极管芯片及其制造方法无效
| 申请号： | 201010185198.7 | 申请日： | 2010-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101872789A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 金小玲 | 申请（专利权）人： | 金小玲 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/36;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 罗文群 |
| 地址： | 321400 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种大功率高电流密度整流二极管芯片及其制造方法，属于半导体器件制造技术领域。本发明的芯片由硼区、N型区和浓磷区组成，硼区的厚度为50-60μm，浓磷区的厚度为10-12μm，芯片总厚度为180-200μm。其制造方法，首先采用乳胶磷源扩散方法在N型硅片的两个表面扩散磷，使每个浓磷区厚度为10-12μm，然后将两个浓磷区中的一个磨去，在磨去了浓磷区的表面扩散硼，使硼区的厚度为50-60μm。本发明方法制备的芯片，浓度分布可以阻挡空间电荷区的扩展，减薄N区厚度，降低了管压降，并且减小硅片厚度，大大提高电流密度(高达500A/cm2)从而节省了原材料、减少了二极管在使用中所占的空间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 电流密度 整流二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种大功率高电流密度整流二极管芯片，其特征在于该芯片由硼区、N型区和浓磷区组成，所述的硼区、N型区和浓磷区依次排列，其中所述的硼区的厚度为50-60μm，所述的浓磷区的厚度为10-12μm，芯片总厚度为180-200μm。
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