[发明专利]取像模组及其制造方法无效
| 申请号： | 201010185262.1 | 申请日： | 2010-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN102263112A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 张仁淙 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/335 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种取像模组，其包括：玻璃基板，其具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有透镜和电路区，所述电路区围绕所述透镜且具有贯穿所述第一表面和第二表面的通孔，所述通孔内具有导电层；影像感测芯片，其位于所述第二表面，所述影像感测芯片具有感测区和多个接触垫，所述感测区对准所述透镜，所述接触垫通过所述通孔的导电层电性结合所述电路区。本发明还提供一种取像模组的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 模组 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种取像模组，其特征在于，所述取像模组包括：玻璃基板，其具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有透镜和电路区，所述电路区围绕所述透镜且具有贯穿所述第一表面和第二表面的通孔，所述通孔内具有导电层；影像感测芯片，其位于所述第二表面，所述影像感测芯片具有感测区和多个接触垫，所述感测区对准所述透镜，所述接触垫通过所述导电通孔电性结合所述电路区以使所述影像感测芯片电性结合所述电路区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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