[发明专利]用于场效应晶体管的栅极电极以及场效应晶体管无效
| 申请号： | 201010185547.5 | 申请日： | 2010-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN102104061A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 林秉顺;李达元;许光源 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于场效应晶体管的栅极电极以及场效应晶体管，且特别涉及一种具有低电阻值金属栅极电极的场效应晶体管。在一实施例中，一种用于场效应晶体管的栅极电极，包括：由第一金属材料形成的下方部，具有凹口及第一电阻值；以及由第二金属材料形成的上方部，具有突出部以及第二电阻值，其中该突出部延伸进入该凹口内，且该第二电阻值低于该第一电阻值。本发明提供的金属栅极电极具有较低的栅极电阻值，如此可降低电路的阻容延迟以及提升装置的表现。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 场效应 晶体管 栅极 电极 以及 | ||
【主权项】：
一种用于场效应晶体管的栅极电极，包括：由第一金属材料形成的下方部，具有凹口及第一电阻值；以及由第二金属材料形成的上方部，具有突出部以及第二电阻值，其中该突出部延伸进入该凹口内，且该第二电阻值低于该第一电阻值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010185547.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
