[发明专利]发光二极管及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201010185791.1 申请日: 2010-05-28
公开(公告)号: CN102263173A 公开(公告)日: 2011-11-30
发明(设计)人: 洪梓健;沈佳辉 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/20 分类号: H01L33/20;H01L33/22
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种发光二极管,包括基板、位于该基板上的发光结构、及设置于该发光结构上的电极,其中该发光结构的外表面为发光二极管的出光面,所述出光面与电极相连接的部分为平滑面,出光面位于电极周围的部分至少一部分为粗糙面,该发光二极管的制造方法包括以下步骤:提供一芯片,该芯片包括基板及形成于基板上的发光结构;在发光结构上形成电极;在该发光结构的外表面及电极上涂布光致抗蚀剂;蚀刻去除光致抗蚀剂,使发光结构的外表面及电极的外表面粗化,从而改变与外界界面的几何形状,提升发光二极管的出光率,从而提升发光二极管的亮度。
搜索关键词: 发光二极管 及其 制造 方法
【主权项】:
一种发光二极管,包括基板、位于该基板上的发光结构、及设置于该发光结构上的电极,其中该发光结构的外表面为发光二极管的出光面,其特征在于:所述出光面与电极相连接的部分为平滑面,出光面位于电极周围的部分至少一部分为粗糙面。
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