[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
申请号: | 201010185791.1 | 申请日: | 2010-05-28 |
公开(公告)号: | CN102263173A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 洪梓健;沈佳辉 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/22 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种发光二极管,包括基板、位于该基板上的发光结构、及设置于该发光结构上的电极,其中该发光结构的外表面为发光二极管的出光面,所述出光面与电极相连接的部分为平滑面,出光面位于电极周围的部分至少一部分为粗糙面,该发光二极管的制造方法包括以下步骤:提供一芯片,该芯片包括基板及形成于基板上的发光结构;在发光结构上形成电极;在该发光结构的外表面及电极上涂布光致抗蚀剂;蚀刻去除光致抗蚀剂,使发光结构的外表面及电极的外表面粗化,从而改变与外界界面的几何形状,提升发光二极管的出光率,从而提升发光二极管的亮度。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光二极管,包括基板、位于该基板上的发光结构、及设置于该发光结构上的电极,其中该发光结构的外表面为发光二极管的出光面,其特征在于:所述出光面与电极相连接的部分为平滑面,出光面位于电极周围的部分至少一部分为粗糙面。
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