[发明专利]薄膜光伏器件无效
| 申请号： | 201010187272.9 | 申请日： | 2010-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN101866989A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | Z·郑;M·王;L·赵 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L51/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曹小刚;李连涛 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜光伏电池和制造薄膜光伏电池的方法。制造薄膜光伏电池的方法实例包括提供基板、在基板上形成压印表面和在所述压印表面上沉积一个或多个薄膜光伏层。薄膜光伏电池的实例可包括具有压印表面的基板层，其所述压印表面上设置有一个或多个薄膜光伏层。可以在所述薄膜光伏层上提供填充层。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 器件 | ||
【主权项】：
制造薄膜光伏电池(10)的方法，所述方法包括：提供基板(12)；在所述基板(12)上形成压印表面(16)；和在所述压印表面(16)上沉积一个或多个薄膜光伏层(22)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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