[发明专利]一种利用内建自测提高读取速度的闪存及其方法有效
| 申请号： | 201010187353.9 | 申请日： | 2010-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101853702A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C29/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种利用内建自测提高读取速度的闪存，包括内建自测体系和数据读取路径，其中：所述内建自测体系向所述数据读取路径发出预设数据和缩短读取时间控制信号；所述数据读取路径向所述内建自测体系发出读取数据。本发明中的利用内建自测提高读取速度的闪存和方法能够找到闪存读取的最佳时间选择，提高闪存的读取速度，并且结构简单，检测方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 自测 提高 读取 速度 闪存 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种利用内建自测体系提高读取速度的闪存，其特征在于，包括内建自测体系和数据读取路径，所述内建自测体系向所述数据读取路径发出预设数据，所述数据读取路径存储预设数据并将预设数据放大后输出读取数据给所述内建自测体系，所述内建自测体系根据所述读取数据的正确性向所述数据读取路径发出缩短读取时间信号，从而获得闪存的最佳读取速度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010187353.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
